技术编号：18355169
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明构思涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种包括设置在外围电路结构上的栅极堆叠结构的三维半导体装置。背景技术已经开发了包括堆叠在与半导体基底的表面垂直的方向上的栅电极的半导体装置。为了增大半导体装置的集成度，增加堆叠的栅电极的数量。然而，随着堆叠在与半导体基底的表面垂直的方向上的栅电极的数量增加，会难以使栅电极电连接到外围电路。发明内容根据本发明构思的示例性实施例，一种三维半导体装置包括：外围电路结构，设置在第一基底与第二基底之间并且包括多个外围互连件；栅极堆叠结构，设置在第二基底上...
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