技术编号:18370085
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于宽禁带半导体领域,具体涉及一种带有沟槽结构的高压宽禁带二极管芯片。背景技术随着新能源的大力发展及电力电子的广泛应用,普通Si基器件无法满足在高压高温高频率环境下的应用。而宽禁带半导体如SiC和GaN材料具有击穿电压高、工作损耗低以及热导率高等优良特性,为新一代电力电子器件和系统提供了可能。然而,由于宽禁带半导体功率器件的成本较高,且其传统设计的制作工艺复杂,急需一种简单有效的设计来降低其制作成本。发明内容针对现有技术的缺陷,本实用新型提供一种带有沟槽结构的高压宽禁带二极管芯片。本实...
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