技术编号:18403380
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于三维集成电路技术领域,具体涉及一种基于TSV的累积型MOS变容二极管及其制备方法。背景技术随着4G时代的到来,无线通信技术得到了快速发展。压控振荡器(VCO)作为无线通信射频系统中的核心模块之一,其研究引起了广泛重视。由于变容二极管的CV特性和QV特性对VCO电路有着巨大的影响,因此它成为了VCO电路的核心器件之一。传统的VCO电路多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件,但在用实际工艺实现电路时,变容二极管通常因其品质因数很小、电容可变范围窄、控制电压受限等因素而影响到电路的性能和设计...
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