技术编号：1842033
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体工业中使用的用于生长单晶硅的熔融的石英坩锅，以及降低在单晶硅生长中使用的石英坩锅中近表面的气泡浓度的方法。 背景技术 单晶硅，其为用作大多数半导体电子元件制造的起始材料，通常由所谓的Czochralski(″Cz″)法制备。采用Cz法，晶体的生长通常大部分在拉晶炉中完成，其中将多晶硅(″polysilicon″)装入坩锅并且由环绕坩锅侧壁外表面的加热器将其熔化。将晶种与熔化的硅接触且单晶锭经由拉晶机抽出而生长。因为石英的纯度、温度稳定性以...
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