技术编号:18459946
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本揭露系关于一静电防护电路及电子装置,特别系关于具有III-V族高电子迁移率晶体管之静电防护电路及电子装置。背景技术直接能隙(direct bandgap)半导体之组件,例如包括三五族材料或III-V族化合物(Category:III-V compounds)之半导体组件,由于其特性而可在多种条件或环境(例如不同电压、频率)下操作(operate)或运作(work)。上述半导体组件可包括异质接面双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)、异质接面场效...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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