技术编号:18469457
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体器件及其制造领域,特别涉及一种DDD UHV MOS器件结构及其制造方法。背景技术随着半导体技术的不断发展,MOS器件逐渐趋于高速和高性能,DDD UHV MOS(高压双扩散漏特高压金属氧化物半导体,Double Diffused Drain Ultra High Voltage MOSFET)器件是一种工作电压较高的器件,其工作电压可以在10~40V左右,广泛应用于电路输出接口、LCD驱动电路等。DDD UHV MOS器件容易与传统CMOS工艺兼容,工艺相比于LD MOS(横向...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。