技术编号：18518044
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电源装置以及电源装置的控制方法。背景技术半导体以及平板制造装置等，伴随灰化及蚀刻等薄膜生成的高密度化、高精度化，被要求可在脉冲状态下将RF电力供给至等离子负载的功能。尤其希望在宽频带中进行高电平/低电平脉冲功率动作的两电平脉冲功率控制，其中，高电平/低电平脉冲功率动作的方式是在不使等离子消失的最小电力的低电力与生成薄膜所需的高电力之间连续地使RF电力变化。例如，高电平/低电平脉冲功率动作所要求的频率范围为1Hz～50kHz。作为供给RF电力的电源装置，已知使用基于PI控制的A级～E级放...
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