技术编号：18544415
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本技术涉及包括使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置和电子设备。背景技术已知由锌（Zn）、铟（In）、镓（Ga）、锡（Sn）、铝（Al）或钛（Ti）的氧化物、或其混合氧化物构成的氧化物半导体具有优良的半导体特性。因此，近年来，人们对使用这种氧化物半导体作为有源矩阵型显示器的驱动装置的薄膜晶体管（TFT）的应用进行了积极研究（例如，第2009-99847号日本未审查专利申请公开），报道了底栅结构和顶栅结构的TFT。TFT中使用上述氧化物半导体时，电子迁移率变得等于或高于使用通常用于例如液晶显示器的非...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。