技术编号：18732353
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本披露总体上涉及用于制造高性能鳍式FET器件的阵列的技术。背景技术先进的集成电路的特征经常在于应变沟道晶体管、绝缘体上硅(SOI)衬底、鳍式FET结构或其组合，以便继续按比例决定低于20nm的晶体管栅极长度。这类技术允许晶体管的沟道长度缩小同时最小化有害结果如电流泄漏和其他短沟道效应。鳍式FET是电子切换器件，其中，常规的平坦半导体沟道被从衬底表面向外延伸的半导体鳍替代。在这种器件中，控制鳍中的电流流动的栅极环绕该鳍的三侧以影响来自三个表面而不是一个表面的电流流动。用鳍式FET设计实现的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。