技术编号:18732529
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路的制造方法,特别涉及一种孔的刻蚀残留物的清洗方法。背景技术在半导体集成电路制造中,接触孔(CT)是连接前段器件和后段金属连线的关键步骤,不管在哪个技术节点,都是最具挑战的难点。在28nm节点,由于曝光机台的限制,显影的孔尺寸即宽度是65nm,之后通过刻蚀过程把尺寸缩小到40nm,在刻蚀过程中会有少许残留副产物吸附在CT的底部和侧壁。接触孔中会填充金属,为了增大后续金属填充的工艺窗口,需要把CT孔内的残留副产物即聚合物(polymer)清理干净。接触孔的刻蚀的副产物一般...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。