技术编号：18733111
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体发光领域，涉及一种LED芯片，具体涉及一种深紫外LED芯片及其制备方法。背景技术深紫外LED芯片在水和空气净化、生物医疗、光通讯和高密度存储等方面都具有很大的应用价值和前景。(1)由于P型AlGaN材料的禁带宽度大，与金属形成的接触势垒较高。不仅如此，随着Al原子摩尔组分的增加，接触势垒的高度也会随之增加，导致金属与高Al组分P型AlGaN间难以形成低阻欧姆接触，从而影响紫外LED芯片的光电性能。所以目前通常在P型AlGaN上制备一层P型GaN层，提高金属和P型GaN的欧姆接触性...
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