技术编号：18789335
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造领域，特别是涉及一种改善高K金属栅极界面完整性的方法。背景技术后栅工艺由于其较高的k值(介电常数值)，优异的Vt(阈值电压)控制能力，成为现有28nm节点高K金属栅极工艺的首选。在后栅工艺中，由于很低的热量引入，高K金属栅极(high-k metal gate)堆叠区域的界面控制显得尤为重要。需要寻找合适的沉积后处理的方式来修复可能的界面缺陷，增强界面的完整性，从而增强器件的性能及可靠性。传统的做法采用快速退火(rapid thermal annealing,RTA)配合...
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