技术编号:18789380
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体测试方法,特别是涉及一种精确监控并改善方块电阻量测稳定性的方法。背景技术随着集成电路技术的发展,更小的特征图形尺寸和电路器件间距对离子注入工艺提出了越来越严格的挑战。在突破了传统热扩散工艺对集成电路生产的限制后,离子注入技术以其低温、高精度、高WPH等优点,成为集成电路制造的重要生产工艺之一,由于其注入的浓度,深度,表面均匀性分布,会极大地影响器件的实际工作性能,因此对离子注入机性能的监测为保障生产稳定、高效起到了重要作用。方块电阻检测能够监测离子注入的深度、浓度与表面分布均匀性...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。