技术编号:18834428
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体储存技术领域,更具体地,涉及利用离子注入散射改善漏电的半导体储存器的晶体管结构及其制造方法。背景技术传统的半导体存储器单元通常由一个MOS(Metal-Oxide Semiconductor,金属氧化物半导体)晶体管及一个电容构成,信息以电荷的方式存储在电容的极板上。然而由于电容的接触极板与晶体管的源漏极区相连,源漏极区的PN结漏电流容易使电容产生漏电现象,造成存储器单元存储的信息不稳定。背景技术中的抑制漏电流的方法是在位线接触窗区域注入与源漏极区中原始掺杂相反的离子,从而降低源...
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