技术编号:18873250
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方案涉及半导体晶片处理,更具体地,涉及原子层蚀刻(ALE)方法和设备。背景技术目前,半导体工业中最广泛使用的蚀刻工艺是称为反应性离子蚀刻(RIE)的干等离子体蚀刻工艺。在RIE中,部分电离的等离子体放电提供反应性和非反应性离子、电子、反应性中性物质、钝化物质和光子的混合物,其中正电荷离子通过在衬底上使用负电压偏置而垂直于衬底/晶片表面加速以产生各向异性蚀刻。诸如RIE之类的等离子体蚀刻以连续方式操作,其中所有反应在蚀刻工艺持续期间同时发生。这在提供快速蚀刻速率方面是有益的,但是也存在...
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