技术编号:18873440
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及一种硼系膜的成膜方法和成膜装置。背景技术近年来,由于半导体制造技术的发展,半导体装置不断精细化,出现14nm以下、甚至10nm以下的半导体装置。另外,为了使半导体装置进一步集成化,将半导体元件以立体方式构建的技术不断发展。因此,半导体晶圆上形成的薄膜的层叠数增加,例如在利用三维NAND的快闪存储器中,需要通过干蚀刻对包括氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiN)膜等在内的厚度为1μm以上的厚的层叠膜进行精细加工的工序。作为用于进行精细加工的硬掩膜,以往使用非晶硅膜、非晶碳膜,但耐蚀刻性低。...
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