技术编号:18875866
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型是有关于一种记忆体结构及其制造方法,特别是关于一种双位元记忆体结构及其制造方法。背景技术记忆体是电子装置中的重要组成元件。其中,快闪记忆体(flash memory)是属于非挥发性记忆体(non-volatile memory),在未供电的状态下仍可保持所储存的数据。此外,快闪记忆体具有可编程与可抹除信息的储存能力,可允许在操作中被多次写入(program)、读取(read)及抹除(erase)。因此,快闪记忆体已广泛地作为手机、数字相机、笔记型电脑等各种电子产品的储存媒体。实用新型内...
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