技术编号:18890867
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及芯片钝化技术领域,具体涉及一种含氧多晶硅钝化膜的沉积方法及具有该钝化膜的芯片。背景技术硅半导体二极管芯片,一般包括一个或多个PN结,为了保证每个PN结的电特性不受自然环境的影响,通常在制造过程中首先对结暴露于环境的那部分表面进行护封处理,一般通过在结表面覆盖一层保护膜来实现与环境的隔离,这在技术上被称为表面钝化。具有不同电特性的芯片,对于钝化的要求亦不同,通常,通过改变保护膜的种类、厚度来实现表面钝化。膜的种类依据其构成的材料可分为玻璃、氧化硅、氮化硅、半绝缘多晶硅(SIPOS)等,而...
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