技术编号：18946562
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及无机半导体技术领域，尤其涉及一种双栅耦合结构及其制备方法和应用。背景技术近年来，二维材料被逐渐挖掘出来，被认为是硅基器件最优秀的代替者之一。同时，二维材料与传统铁电薄膜的结合，也被越来越多的科学家所关注。这一类器件主要包括铁电场效应晶体管和铁电隧穿结型器件。在铁电场效应晶体管中，大多数研究都集中在基于负电容效应的亚阈值摆幅小于60mV/dev的低功耗器件，以及非易失性铁电存储器件领域。但是，传统的铁电薄膜必须达到一定的厚度(几百纳米)才能表现出比较稳定的铁电性，这一要求严重阻碍了器件的...
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