技术编号：18994040
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件制造领域，具体涉及一种图形转移方法。背景技术在半导体器件制造领域，为降低器件的制作成本，需要在一定面积的衬底上尽可能多地制备器件，这就需要器件的特征尺寸越小越好。目前，光刻工艺决定了器件的最小特征尺寸，为了将更小特征尺寸的特征图形精准地转移至衬底上，光刻工艺需要面对应尽可能降低线宽粗糙度(LWR)的挑战，所谓线宽粗糙度是指器件线条相对理想器件线条的偏差，具体地，理想器件线条的形状一般为一条直线，而实际上器件线条的形状往往为锯齿状，这样，可能会导致器件性能退化以及良率降低等问题...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。