技术编号：19008600
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明一般涉及半导体领域，并且更尤指自组装单层(self-assembled monolayer)原位(in-situ)气相沉积的方法。背景技术随着集成电路装置尺寸持续缩减以达到较高的操作频率、较低的功耗、以及整体较高的生产力，制造可靠的互连对于制造及效能两方面已变得日益困难。为了制造具有快操作速度的可靠装置，铜(Cu)因为其相较于铝具有较低电阻并且较不易产生电子迁移与应力迁移而正成为选用以形成互联线的材料。然而，Cu有各种缺点。例如，Cu对SiO2及其它介电材料的粘着强度差。因此，需要...
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