技术编号：19012155
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本文的公开内容一般而言涉及场效应晶体管、其制造方法、显示元件、显示设备以及系统。背景技术场效应晶体管(FET)具有低栅极电流和扁平结构。因此，与双极晶体管相比，FET可以容易地制造并且也可以容易地集成。出于这些原因，场效应晶体管广泛用在现有电子器件中使用的集成电路中。在这种场效应晶体管中，硅、氧化物半导体和有机半导体用于半导体膜。这种场效应晶体管的示例包括使用具有自对准结构的氧化物半导体膜的场效应晶体管。场效应晶体管具有这样的结构，其中半导体膜被层间绝缘层覆盖，接触孔在层间绝缘层中形成，并且在绝...
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