技术编号：1911789
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在碳基电极表面垂直生长TiO2，属于纳米材料。TiO2纳米片制备方法包括四个步骤，基底预处理；预处理的基底在氢氧化钠溶液中原位水热反应，这是一个溶解再结晶的过程，加入一定量的结构诱导剂以形成垂直基底表面均匀生长的纳米片阵列；洗涤、酸泡，反应完成后将生成的TiO2纳米片用超纯水反复洗涤，再用酸浸泡至中性；煅烧，在N2保护气氛中于一定温度下煅烧一定时间即得到单晶型垂直生长TiO2纳米片。TiO2纳米片具有良好的生物相容性、稳定性、环境友好性，该方...
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