技术编号:19120896
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于高压半导体装置,特别是一种具有抗主体效应掺杂区的高压半导体装置及其形成方法。背景技术高压半导体装置技术适用于高电压与高功率的集成电路领域。传统高压半导体装置,例如垂直式扩散金氧半导体(vertically diffused metal oxide semiconductor,VDMOS)晶体管及水平扩散金氧半导体(LDMOS)晶体管,主要用于18V以上的元件应用领域。高压装置技术的优点在于符合成本效益,且易相容于其它工艺,已广泛应用于显示器驱动IC元件、电源供应器、电力管理、通讯、车用...
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