技术编号:19146704
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。背景技术肖特基二极管作为发展时间久、技术成熟的半导体器件结构,其属于一种超高速半导体器件,在能源转换领域得到广泛应用,多用作高频应用环境。提高肖特基二极管的单位面积正向导通能力表示更好的正向导通能力,使得导通能量损耗更小,从而可以提升产品能源利用效率。但是传统的对肖特基二极管的单位面积正向导通能力的提高,往往会导致反向阻断漏电流的增大。因此,亟需一种新的改进的半导体器件。发明内容本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法,能够提高正向...
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