技术编号:19189191
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米材料的制备技术领域,尤其涉及一种形貌可控的铁、锌离子共掺杂的氧化亚铜晶体的制备方法。背景技术cu2o是一种禁带宽度为2.17ev的p型半导体,有一个很大的激发能140mev,被预测为一种很有前景的基质材料。在过去的这些年来,大量的文献报道了在cu2o晶体中掺杂金属离子或非金属离子可以使其成为p型或n型半导体。因此,研究掺杂对cu2o晶体物理、化学性质的影响是非常必要的。由于掺杂离子与cu+离子的自旋态接近、离子半径相似、在晶体结构中可能占据相同的位置,因此,这些掺杂的离子可以修饰c...
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