技术编号：19212901
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及静电防护领域，特别涉及一种双向可控硅静电保护器件。背景技术静电是自然界中的一种正常现象，同样也在ic制造、搬运和使用中无处不在，静电失效是ic设计者在ic设计中需要面临的一个重要问题。半导体器件特征尺寸遵循摩尔定律逐年减小，ic设计者能在有限的芯片面积内塞入更多的晶体管。更小的制程，更大的元件密度，将会带来更加艰巨的静电保护设计难度。二极管、三极管和场效应晶体管都是常用的静电防护器件，单向可控硅与其它静电保护器件相比，具有更高的单位面积泄放能力。因此单向可控硅器件的出现为在有限的芯片面...
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