技术编号：19282801
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求2018年5月22日提交的美国临时申请62/674,905的优先权，其全部内容出于所有允许的目的而通过引用并入本文。背景技术本发明涉及光致抗蚀剂和残留物剥离组合物和方法，特别地可用于制造集成电路。更特别地，其涉及可用于正性和负性光致抗蚀剂两者，并且不含在现有技术的光致抗蚀剂剥离组合物和方法中带来安全和环境问题的化合物的这样的剥离组合物和方法。在集成电路制造中，已经使用各种组合物从二氧化硅和其他绝缘体表面以及金属化二氧化硅或其他绝缘体表面剥离有机光致抗蚀剂聚合物。一些剥...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。