技术编号：19379347
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地涉及存储器电路和对rram器件执行写入操作的方法。背景技术在一些应用中，集成电路(ic)包括将数据存储在电阻式随机存取存储器(rram)单元的阵列中存储器电路。独立的rram单元可编程为高电阻状态(hrs)或低电阻状态(lrs)，其中每个状态表示通过rram单元存储的逻辑状态。发明内容根据本发明的一方面，提供了一种存储器电路，包括：偏置电压生成器，包括第一电流路径，配置为从电流源接收第一电流并且基于由在所述第一电流路径中传导的所述第一电流所生成的电...
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