技术编号：19382091
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及传感器技术领域，具体为一种压阻式高频高温动态压力传感器。背景技术始于20世纪70年代后期的mems技术使得先进的硅压阻压力传感器越做越小，从而硅压阻力敏元件有了更高的固有频率。美国kulite公司和endevco公司采用这一技术制成的微型方膜片实现了压阻压力传感器的小型化和芯片高固有频率，但它们未解决全齐平封装问题，同时此种封装也无法解决爆炸中的强光干扰，因此不得不在使用时卸下芯片封装前方的激光成形保护网膜适应高频动态测量，从而造成测量中的极高损坏率或一次性使用。其中专利号为cn102...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。