技术编号:1940662
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅晶体生长炉用保温零部件的制备方法,确切地说是一种硅晶体生长炉用的高纯固化炭毡制造方法。背景技术 硅晶体生长炉的工作温度在1500℃以上。硅晶体炉的热场系统对硅晶体成晶条件、对半导体硅晶体的完整性即对硅片的使用性能的影响很大。因此,热场系统设计、热场内各种零部件的材料选择和使用,受到广泛的重视。从90年代初开始,就有人提出用碳—碳复合材料制造热场零件。德国SGL碳复合材料公司在US5800924美国专利中介绍了用碳—碳复合材料制作硅晶体生长炉...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。