技术编号:19429878
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求2017年3月29日提交的62/478,483号美国临时专利申请以及2018年3月26日提交的15/936,305号美国专利申请的权益,其内容通过引用并入本文。背景技术基于氮化镓的功率器件可以在硅衬底上外延生长。由于衬底和外延层由不同的材料组成,因此这种基于氮化镓的功率器件在硅衬底上的生长是一种异质外延生长的过程。由于这种异质外延的生长过程,外延生长材料会呈现出各种负面影响,包括均匀性的降低以及与外延层的电子/光学特性相关联的度量指标(metrics)的降低。因此,本...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。