技术编号:19494304
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域:本发明涉及半导体材料领域,特别是涉及一种二硫化铪薄膜-硅孔阵列异质结、制备方法及其应用。背景技术:近些年来,新型二维材料的发展和应用引起了人们极大的关注。二维材料家族阵容庞大,并且它们的性质各有不同。基于二维材料的异质结是由多种具有不同物理特性的二维材料或非二维材料接触所构成。基于二维材料的异质结集成了多种材料的优点,取长补短,克服单一材料的缺陷,甚至会由于材料间独特的耦合机制而发挥出原有材料所不具备的新颖特性,有望能在光电子器件领域获得较大的突破。由于材料结构的特点和制备手段的限制,...
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