技术编号：19559109
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型实施例涉及电子技术领域，具体涉及一种基于低频噪声检测的电力mosfet。背景技术mosfet(金属氧化物半导体场效应管)是利用电场效应来控制半导体的场效应晶体管，由于mosfet具有可实现低功耗电压控制的特性，近年来被广泛应用在大量电子设备中，包括电源、汽车电子、计算机和智能手机中等，受到越来越多的关注。mosfet器件通过将适当电压施加至mosfet器件的栅极而工作，其接通该器件并形成连接mosfet的源极(source)和漏极(drain)的通道以允许电流流动，在mosfet器件中...
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