技术编号：19579942
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氧化镓的制备领域，具体涉及一种高纯氧化镓的制备方法及制备装置。背景技术氧化镓是一种优良的宽带隙半导体，具有优良的电学和光学性质，被用于制备气敏传感器、紫外探测器、薄膜电致发光器件显示器件、透明导电薄膜，并展现出广阔的发展前景和应用空间。高纯氧化镓是制备钆镓石榴石的原料，钆镓石榴石单晶是液相外延yig(钇铁石榴石)以及类yig等磁光薄膜的理想衬底材料。目前高纯氧化镓的制备方法很多，例如：以镓为原料，通过在碱液中三段电解法制得高纯氧化镓；采用ga(no3)3·xh2o为主要原料，添加无水乙...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。