技术编号：19689379
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。发明背景发明领域本发明涉及闪锌矿结构iii族氮化物层的形成，例如gan、algan、ingan、inaln，更一般来说是inxalyga1-x-yn。本文公开了这些层的表征及其形成方法。这些材料在半导体结构和器件领域中具有特定但不一定是排他性的应用，例如发光应用，如led、激光器以及例如晶体管、二极管、传感器等其他设备。相关技术iii族氮化物半导体可用于广泛的光电应用中，例如在蓝色和绿色光谱区域发射的多量子阱(mqw)led和激光二极管。此类器件通常沿六方纤锌矿相的c方向生长，其中穿过量子阱的强...
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