技术编号：19689949
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管结构及其制造方法。背景技术由于半导体器件的尺寸成比例减小，诸如鳍式场效应晶体管(finfet)的三维多栅极结构已经发展以置换平坦的cmos器件。finfet的结构部件是从衬底的表面垂直延伸的基于硅的鳍，并且包裹沟道的栅极在沟道上方进一步提供更好的电控制。发明内容根据本发明的一个实施例，提供了一种鳍式场效应晶体管，包括：衬底，具有多个鳍，其中，所述多个鳍的至少一个包括嵌入在所述多个鳍的至少一个中的停止层；多个绝缘物，设置在所述衬底上以及设置在所述多个鳍之间；至少一个...
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