技术编号：19724901
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料学技术领域，具体地说，涉及一种稀土四氟化物nalnf4薄膜及其制备方法。背景技术稀土氟化物由于其具有低声子能量(~350-500cm-1)和高折射率(~1.56)的特性，被广泛应用于制备荧光材料，与常规有机荧光材料相比，稀土氟化物显示出足够的长期热稳定性和环境稳定性，并且稀土四氟化物nalnf4被认为是镧系元素离子掺杂上转换发光材料的理想基质。目前制备氟化物的方法有水热法/溶剂热法、热分解法、共沉淀法和高温固相法等，但是以上方法均被用于制备氟化物粉末。关于氟化物薄膜的制备研究较少。...
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