技术编号：19743995
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开实施例涉及一种光刻胶去除方法。背景技术半导体装置已广泛用在各种不同的电子产品上，例如个人电脑、手机、数码相机及其他电子设备。半导体装置的制造通常通过按序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体层的材料于半导体基板上，且利用光刻技术以图案化各种不同的材料层来形成电路组件及元件于半导体基板上。在光刻工艺中，使用给定频率的光将预期的图案转移到经受半导体工艺的半导体基板(例如硅晶圆)上。掩模(photomask)(也称为掩模(mask)或倍缩掩模(reticle))用于允许和防止期望图案中的光到达晶圆的材...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。