技术编号:19748071
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,尤其是涉及一种降低区熔poly背封单抛片边缘晶孔的加工工艺。背景技术众所周知,金属杂质和表面平整度是器件原材料单晶硅抛光片的两项重要特性参数。一方面,应用于12英寸抛光片的表面磨削技术大大提升了抛光片的表面平整度,近年来,该技术逐渐应用于小于12英寸的抛光产品;另一方面,poly背封的金属吸杂特性广泛应用于降低抛光片金属杂质。当运用这两项技术开发表面平整度要求高、金属杂质含量低的8英寸区熔抛光产品时,由于区熔产品机械性能较差,容易在poly背封过程中产生边缘晶孔现象,大...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。