技术编号:19790212
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制作半导体元件的方法,尤其是涉及一种于主动元件(有源元件)底部形成气孔并由此降低元件电容值的方法。背景技术在无线射频(radiofrequency,rf)集成电路应用中,例如rf选频装置(rfswitchdevice)或功率放大器(poweramplifierdevice),其性能经常受到寄生表面电荷(parasiticsurfacecharge)问题的影响。因为寄生表面电荷而产生谐波效应(harmoniceffect),进而影响装置效能。有数种晶片制作工艺技术用以解决此问题,例如...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。