技术编号:19804948
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体领域,具体地,涉及一种功率器件及其制造方法以及包括这种功率器件的电子设备。背景技术传统功率器件(例如,vdmos)为了承受高耐压,需降低漂移区掺杂浓度或者增加漂移区厚度,这带来的直接后果是导通电阻急剧增大。为了克服上述问题,超结功率器件(例如,超结mosfet)越来越受到重视。超结mosfet基于电荷补偿原理,使器件的导通电阻与击穿电压呈1.32次方关系,很好地解决了导通电阻和击穿电压之间的矛盾。和传统功率vdmos结构相比,超结mosfet采用多个柱状体区替代传统功率器件中低掺...
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