技术编号：19812168
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求于2018年7月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2018-0083292的优先权，其全部内容通过引用合并于此。本公开的实施例涉及在刷新操作期间执行修复操作的半导体器件。背景技术在半导体器件中，dram(动态随机存取存储器)具有这样的特性，即，储存在其存储单元中的信息随着时间流逝而消失，这与sram(静态随机存取存储器)或快闪存储器不同。为了防止这种现象，以预定周期执行从外部重新写入储存在存储单元中的信息的操作。这种操作称为刷新。以这种方式进行刷新，以在...
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