技术编号：1981539
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在通过溅射法使薄膜晶体管(TFT)的氧化物半导体薄膜成膜时所使用的氧化物烧结体及溅射靶，所述薄膜晶体管用于液晶显示器、有机EL显示器等显示装置。背景技术TFT所使用的无定形(非晶质)氧化物半导体与通用的无定形硅(a-Si)相比，具有高载流子迁移率，并且光学带隙大且能够在低温下进行成膜，因此期待将其应用于要求大型/高分辨率/高速驱动的下一代显示器、耐热性低的树脂基板等。在形成上述氧化物半导体(膜)时，优选使用对材料与该膜相同的溅射靶进行溅射的溅射法...
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