技术编号:19898087
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及电浆工艺,尤其涉及其采用的气体分布板背景技术电浆为主的工艺技术已泛用于制作多种用途的装置,比如半导体积体装置、微电子装置与微机电装置。在半导体工艺腔室中形成多种结构于晶片上的图案化技术(如光微影、沉积与蚀刻)的关键目标,为晶片中的图案化结构具有一致的关键尺寸。在电浆为主的工艺(如蚀刻、沉积或研磨)时,晶片一致性的关键参数为晶片表面上的电浆分布。晶片工艺腔室包括气体分布板、气体入口、气体出口与射频入口。这些构件的每一者均影响晶片工艺腔室中的电浆分布,并影响晶片的关键尺寸一致性。气体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。