技术编号:19935020
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本说明书涉及碳化硅大功率半导体器件。背景技术碳化硅(sic)功率器件、特别是碳化硅大功率器件提供诸如高开关速度和低功率损耗的优点。高效sic功率器件的示例包括(但不限于)整流器、场效应晶体管(fet)和双极性结型晶体管(bjt)。多种物理特性引起了碳化硅大功率器件的各种优点,诸如其雪崩击穿的高临界场。因此,例如,800v与4500v之间的高电压可在例如大约4μm与35μm之间的极薄层内阻断。机械稳定性考虑因素在至少一些处理环境期间决定至少大约300至500μm之间的典型sic衬底厚度,但从电器件...
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