技术编号：20001384
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于晶体管技术领域，具体涉及一种高厄利电压横向晶体管结构及其制备方法。背景技术厄利电压是表征双极型晶体管基区宽变效应的参数，对双极晶体管而言，厄利电压越高，其抑制基区宽变效应的能力越强。参照图1a、图1b和图2，在传统双极集成电路生产中，横向pnp晶体管集电区和发射区的p型杂质掺杂与npn晶体管的基区同层次进行，即形成npn晶体管的基区的同时进行p型杂质掺杂形成横向pnp晶体管的p型集电区和p型发射区，外延层作为横向pnp晶体管的n型基区，通过引线最终实现横向pnp晶体管结构，在晶体管的表...
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