技术编号：20001406
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体高耐压用功率器件，主要是一种具有p型埋层和场板的双沟道耐压algan/gan绝缘栅场效应晶体管。背景技术随着技术的发展，传统的第一代半导体和第二代半导体已经难以满足市场对半导体的需求，发展第三代半导体显得尤为重要。其中氮化镓材料便是其中的佼佼者。氮化镓属于宽禁带材料，具备了临界击穿电场高、电子迁移率高、耐高温和抗辐照等优异的性能。在高压、高频、高温和辐射环境等条件下具有广阔的应用前景。gan材料可以和algan材料形成algan/gan异质结，在异质结界面的下方会形成二维电子气。...
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