技术编号：20035925
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域：本发明涉及半导体集成电路用器件，特别涉及一种复合沟道的隧穿双栅场效应晶体管及其制造方法。复合沟道的隧穿双栅场效应晶体管的英文全称是：segmentedchanneltunnelingfinfet,英文简写为：sct-finfet。背景技术：随着集成电路技术迅速发展到深纳米时代，隧穿双栅场效应晶体管，即finfet场效应器件以其优秀的短沟道效应和强大的沟道控制能力已经在深纳米代的移动手机芯片上得到大规模采用。但随着集成电路的集成度越来越高，器件尺寸越来越小，传统finfet因亚阈退化和漏...
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