技术编号：2009608
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于。 背景技术在半导体模块的发展中，随着集成化程度的提高和体积的减小，使得单 位散热面积上的功耗增加，因而散热成为模块制造中的一个关键问题。目前，国内外电力电子行业常使用陶瓷覆铜基板作为模块用导电基板。 例如，在氧化物特别是氧化铝陶瓷基板表面通过金属化而得到的基板，但是 氧化铝的导热率较低，散热性能仍无法满足高度集成化的模块的要求。氮化铝陶瓷覆铜基板除了具有铜箔的高导电特性外，还具有氮化铝陶瓷 的高导热特性，因而适合用于电力、电子领域的大功率电子...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。